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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
比较
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Kingston 9905783-025.A01G 16GB
总分
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
总分
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
差异
规格
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR5
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
15.6
16.9
写入速度,GB/s
9.8
14.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2566
3395
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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