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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
62
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
31
读取速度,GB/s
4,670.6
14.8
写入速度,GB/s
2,378.6
11.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3122
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
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