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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,025.3
11.5
写入速度,GB/s
2,107.0
10.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2462
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
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