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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
62
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
31
读取速度,GB/s
4,670.6
19.5
写入速度,GB/s
2,378.6
14.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3518
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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