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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
12.0
14.7
写入速度,GB/s
7.8
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2476
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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