RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
AMD R748G2400U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
AMD R748G2400U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
16.4
写入速度,GB/s
7.5
11.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2686
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link