RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
AMD R748G2400U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
AMD R748G2400U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2686
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link