RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Compara
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
55
En -53% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2701
2231
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link