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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Compara
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
55
En -53% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2701
2231
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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