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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Comparez
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
55
Autour de -53% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
55
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
13.8
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2701
2231
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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