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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.8
17.9
写入速度,GB/s
8.4
10.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3030
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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