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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
83
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
83
读取速度,GB/s
4,672.4
14.3
写入速度,GB/s
1,906.4
7.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
1752
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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