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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.9
16.8
写入速度,GB/s
8.4
12.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
3115
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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