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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.9
16.7
写入速度,GB/s
8.4
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
2979
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Inmos + 256MB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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