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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.9
12.5
写入速度,GB/s
8.4
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
2609
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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