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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
总分
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
8.2
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2165
2572
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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