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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
12.1
14.8
写入速度,GB/s
8.6
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2955
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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