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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.1
17.0
写入速度,GB/s
8.6
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2963
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
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