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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
44
读取速度,GB/s
12.1
14.7
写入速度,GB/s
8.6
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2170
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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