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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.1
19.2
写入速度,GB/s
8.6
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3865
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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