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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.1
18.0
写入速度,GB/s
8.6
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3490
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Mushkin 996902 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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