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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.1
19.0
写入速度,GB/s
8.6
15.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3714
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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