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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
12.1
20.1
写入速度,GB/s
8.6
16.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3759
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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