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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.1
19.4
写入速度,GB/s
8.6
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3756
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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