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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
55
左右 55% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
55
读取速度,GB/s
12.1
19.5
写入速度,GB/s
8.6
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2274
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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