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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.1
13.6
写入速度,GB/s
8.6
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2406
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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