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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB

总分
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

总分
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Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 34
    左右 26% 更低的延时
Kingston XF875V-MIH 8GB 需要考虑的原因
Kingston XF875V-MIH 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 12.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.7 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    12.1 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 12.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2045 left arrow 2785

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较

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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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内存RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
内存RAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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