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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.1
15.0
写入速度,GB/s
8.6
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2272
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
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