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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
58
读取速度,GB/s
12.1
9.7
写入速度,GB/s
8.6
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2172
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
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