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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.1
18.4
写入速度,GB/s
8.6
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2954
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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