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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.1
17.6
写入速度,GB/s
8.6
12.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3221
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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