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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.1
17.2
写入速度,GB/s
8.6
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3017
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
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