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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
50
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
50
读取速度,GB/s
12.1
10.6
写入速度,GB/s
8.6
8.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2386
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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