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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.1
15.7
写入速度,GB/s
8.6
7.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2388
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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