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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
43
读取速度,GB/s
12.1
15.0
写入速度,GB/s
8.6
13.0
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2794
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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