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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
41
读取速度,GB/s
12.1
15.5
写入速度,GB/s
8.6
12.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2902
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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