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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.1
16.0
写入速度,GB/s
8.6
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2824
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
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Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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