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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.9
13.8
写入速度,GB/s
9.7
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2415
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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