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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.9
17.3
写入速度,GB/s
9.7
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3440
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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