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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation T 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
21
读取速度,GB/s
13.9
18.0
写入速度,GB/s
9.7
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2801
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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