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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
13.9
16.8
写入速度,GB/s
9.7
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3009
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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