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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.9
22.0
写入速度,GB/s
9.7
16.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3830
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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