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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.9
16.0
写入速度,GB/s
9.7
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2650
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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