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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
9.7
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3195
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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