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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
77
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
77
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
9.7
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
1688
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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