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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.7
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
9.7
9.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2533
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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