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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.9
10.8
写入速度,GB/s
9.7
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2318
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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