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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.9
21.2
写入速度,GB/s
9.7
15.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3486
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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