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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
11.5
17.9
写入速度,GB/s
7.3
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1892
3755
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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