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Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

总分
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Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB

Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB

总分
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB 需要考虑的原因
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 77
    左右 -108% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 1,546.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    77 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    2,631.4 left arrow 13.9
  • 写入速度，GB/s
    1,546.2 left arrow 10.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    406 left arrow 2507

Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB RAM的比较

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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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