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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,001.3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,796.5
16.3
写入速度,GB/s
2,001.3
13.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
3386
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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